UNVDZN3024
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UNVDZN3024は24W品のACアダプターです。ユニバーサルタイプで、計測器、IoT関連機器、ネットワーク機器、ルーター、端末機、家電、事務機等、様々な機器へ使用が可能。小型な形状でDOE Ⅵの基準にも満足している高効率品ACアダプターです。 製品シリーズ名：UNVDZN3024 |
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製品詳細
| 大きさ | L:70.0 W:35.0 H:48.0/mm |
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| AC入力定格（AC Input Rating） | 90V～264V |
| DC出力定格（DC Output Rating） |
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| 安全性 |
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上記の仕様以外の製品をお探しの方は、弊社営業までお問い合わせください。
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UNVDxN 24W Seriesは、GaN-MOSFET採用のI.C.T./AV機器向けウォールマウント型AC/DCアダプター（24W・DCジャック出力）です。安全規格62368-1・PSE 別表第八に適合し、5.0V〜24.0Vの6モデルを展開。U／L／E／Z／A／K／R／F／Gの9プラグタイプを用意しており、グローバルな製品展開に対応します。
次世代パワー半導体GaN（窒化ガリウム）MOSFETの採用により、最大効率86.20%・無負荷時消費電力0.1Wの高効率省エネ設計を実現。Energy Efficiency Level VI（ErP／DoE）・DOE VII Draft準拠を達成し、24Wの高出力をコンパクトな筐体に凝縮しています。
| ユニファイブが選ばれる理由： 35年以上の電源開発実績を持つ電源メーカーとして、量産採用を見据えた仕様検討〜認証取得〜量産立ち上げ〜量産後フォローまで一貫して支援します。標準品をベースに、試作・評価の小ロットから中小規模生産、さらに大ロット生産まで数量規模に応じた柔軟な供給が可能です。セミカスタムにも対応し、量産採用に向けた電源選定を仕様検討段階からサポートいたします。 |
主な特長
1) GaN-MOSFET採用・最大効率86.20%・DOE VII Draft準拠
次世代パワー半導体GaN（窒化ガリウム）MOSFETを採用し、最大効率86.20%（12V・15V・24Vモデル）を実現しています。Energy Efficiency Level VI（ErP／DoE）・EU Commission Regulation 2019/1782・DOE 10 CFR Part 429・430に加え、DOE VII Draft（次期省エネ基準）にも準拠しており、将来の規制強化にも対応した先進設計です。無負荷時消費電力は0.1Wと低待機電力を維持しながら、24Wの高出力をコンパクトな筐体に実現します。
2) 62368-1・PSE 別表第八適合・I.C.T./AV機器向け標準製品
ICT・AV機器の安全規格62368-1および日本国内の電気用品安全法PSE 別表第八に適合した標準製品です。音響機器・映像機器・情報通信機器・AV周辺機器など、ICT・AV分野の幅広い機器への電源供給に対応します。LPS認証取得済みで、各モデルの認証取得状況の詳細は営業部にお問い合わせください。
3) 5.0V〜24.0Vの6モデル展開・出力精度±5%
出力電圧は5.0V／12.0V／15.0V／19.0V／24.0Vの5電圧・6モデルを展開しており、低電圧ロジック系から19Vノートパソコン系・24V産業機器まで幅広い用途に対応します。全モデル出力精度±5%・無負荷時消費電力0.1W。5Vモデルはリップル120mV、12V・15Vは240〜300mV、19V・24Vは400〜480mVの出力特性です。
4) ICT機器向けEMC規格対応（EN55035・FCC Part15-B・VCCI-B・BS EN 55032）
ICT・AV機器向けのイミュニティ規格EN55035・BS EN 55035に準拠しています。エミッション規格はFCC Part15-B・CE（EN/CISPR55032-B）・VCCI-B・BS EN 55032に対応。EN61000-4-2〜4-6・4-8・4-11を含む包括的なイミュニティ適合により、ICT・AV機器の付属電源として求められる電磁環境耐性を確保しています。
5) 9プラグタイプ展開・ユニバーサル入力対応・3保護回路搭載
U／L／E／Z／A／K／R／F／Gの9プラグタイプを展開しており、グローバルな製品同梱・市場展開に対応します。AC90〜264Vのユニバーサル入力対応により、世界各国の電源環境で使用可能です。短絡・過電圧・過電流の3種類の保護回路を搭載し、接続機器と本体を安全に保護します。
主な仕様
| シリーズ名 | UNVDxN 24W Series |
| 製品カテゴリ | I.C.T./AV AC/DCアダプター（ウォールマウント型・DCジャック出力・GaN-MOSFET搭載） |
| 定格出力 | 24W |
| 主な特長 | GaN-MOSFET採用、最大効率86.20%、DOE VII Draft準拠、5.0〜24.0V 6モデル展開、9プラグタイプ対応、無負荷0.1W |
| 主な適合機器 | 音響・映像・情報通信技術機器（ICT・AV機器全般） |
| 動作温度範囲 | 0〜40℃（自然空冷・海抜） |
| 技術基準（安全規格） | 62368-1、PSE 別表第八（各モデルの詳細は営業部へお問い合わせください） |
| エネルギー効率 | Energy Efficiency Level VI（ErP／DoE）、EU Commission Regulation 2019/1782準拠、DOE 10 CFR Part 429・430準拠、DOE VII Draft準拠 |
| エミッション（放射） | FCC Part15-B／CE EN(CISPR)55032-B／VCCI-B／BS EN 55032 |
| イミュニティ（耐性） | EN55035／BS EN 55035（EN61000-4-2〜4-6・4-8・4-11を含む） |
| 保護回路 | 短絡保護（SCP）／過電圧保護（OVP）／過電流保護（OCP） |
| 動作環境 | 入力：AC100〜240V（許容範囲：AC90〜264V）、50/60Hz（許容範囲：47〜63Hz）／保存温度：-20〜65℃（自然空冷・海抜）／動作・保存湿度：5〜95%RH（結露なきこと） |
| 参考：出力電圧・電流・効率 | 5.0V 3.0A（効率81.39%、リップル120mV）／12.0V 2.0A（効率86.20%、リップル240mV）／15.0V 1.6A（効率86.20%、リップル300mV）／19.0V 1.26A（効率86.19%、リップル400mV）／24.0V 1.0A（効率86.20%、リップル480mV）（出力精度±5%、無負荷時消費電力0.1W） |
| 参考：プラグタイプ・外形寸法 | U：70×35×48mm／L：70×35×48mm／E：70×35×66.30mm／Z：70×35×48mm／A：70×Ø38×57mm／K：70×48.80×55.20mm／R：70×35×66.30mm／F：70×35×66.30mm／G：70×Ø38×57mm |
| その他 | LPS認証取得済み、RoHS 2対応 |
セミカスタム対応
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