使用GaN(氮化鎵)的AC變壓器是什麼

這是一個介紹搭載被稱為次世代半導體的GaN(氮化鎵)IC的AC變壓器與切換式電源的頁面。UNIFIVE所開發的USB-PD變壓器中採用了此技術。

次世代半導體,什麼是搭載GaN的AC變壓器

什麼是GaN?

 最近在大型賣場中常會看到搭載GaN PD的USB AC變壓器,其中的“GaN”即是氮化鎵,是為電力電子領域帶來革新變化,備受矚目的次世代材料。數十年來,以矽為基礎的MOSFET(金屬氧化膜半導體場效電晶體)在能源轉換成電力的角色中不可或缺,成為現代生活的重要一環。然而,一般矽基MOSFET在改善其性能與提升電力效率方面,存在理論上的極限,現代技術已接近其無法再進步的邊界。

 此外,隨著近年對電力密度與效率的要求提高,並以先進國家為中心,為了防止環境污染,各類環保法規日益嚴格,而以矽為素材的元件在這波重視環境的趨勢下,已難以繼續適應。相較之下,氮化鎵為因應電力系統之效率、性能與密度升級的需求,具備優越特性的材料,因此已逐漸成為取代矽的次世代電力切換技術的關鍵。

那麼,什麼是氮化鎵?

 氮化鎵於自然界中不存在於元素形態。一般在提煉鋁的鋁土礦過程或以閃鋅礦製造鋅時,會作為副產物得出,因此其萃取與精煉過程所產生的二氧化碳極為稀少。每年約生產超過300噸的鎵,全世界估計儲量超過100萬噸。因其源自製程副產物,1公斤價格約僅300美元,相較於1公斤近6萬美元的黃金,其成本大約是1/200。

除了環境上的優勢,氮化鎵為族III/V雙元直接躍遷型半導體,適合高溫下仍可穩定運作的高功率電晶體。

GaN的歷史

多米特里‧門得列夫肖像

鎵的存在最早於1871年由多米特里・門得列夫預言,數年後的1875年由保羅・艾蜜爾・勒科克・德・布瓦博德蘭在巴黎發現,並以法國的拉丁語「Gallia」命名為鎵(Gallium)。

 純鎵的熔點僅30°C,在人體體溫下可於掌中融化。而氮化鎵首次被成功合成,則是65年之後的事,直到1960年代前都無法成長出氮化鎵的單晶薄膜。化合物GaN的熔點超過1600°C,比矽高出200°C。

 1972年,透過注入鎂的GaN系LED首次誕生,為史上首次能發出藍紫光的LED,儘管當時亮度不及商業用途仍具有劃時代意義。

 自1990年代以來,氮化鎵廣泛應用於發光二極體(LED)中,也能發出用於藍光光碟的藍色光。此外,氮化鎵亦被用於半導體電源元件、射頻(RF)零組件、雷射、光子學與其他應用上。未來亦被預期將應用於感測技術領域。

 2006年起,利用有機金屬氣相沉積法(MOCVD)在標準矽晶圓基板上的AIN層生長GaN薄膜,成功開發出增強型GaN電晶體(亦稱為GaN FET)。AIN層作為基板與GaN間緩衝層,此新製程允許氮化鎵電晶體在與矽相同的工廠及相近製程中生產。使用既有製程,有助於降低成本與導入小型高性能電晶體。

 簡而言之,所有半導體材料皆有稱為能隙(Band Gap)的性質,亦即固體內電子無法存在的能量區間。若以矽的能隙為1.12 eV,氮化鎵則為3.4 eV。氮化鎵擁有更寬的能隙,意味其可承受更高電壓與更高溫度,相較於矽的MOSFET更具優勢。

 這樣大的能隙,使得氮化鎵能應用於光電子的高功率・高頻率元件中。由於氮化鎵能於比砷化鎵(GaAs)更高之溫度與電壓穩定運作,因此非常適合作為影像與感測領域的微波或太赫茲(ThZ)電力放大器。

GaN有哪些優勢?

 將可應用於光電子高功率・高頻元件的GaN材料用於AC變壓器上,具備什麼具體優勢呢?以下說明GaN應用於AC變壓器上的幾項重點。

 一般來說,GaN常與矽材料做比較。以目前為標準的矽基MOSFET應用於AC/DC電源・DC/DC電源・馬達控制元件等,從數十瓦到數千瓦之間廣泛作為電源切換的關鍵元件,其封裝、導通電阻、額定電壓、切換速度等性能也持續改善。

 但矽基材料半導體的性能已隨著多年技術發展,接近理論極限,難以再突破。而以氮化鎵為基礎的功率元件為具備高電子遷移率的電晶體,其電子遷移率表示擁有比矽更高的臨界電場強度,在相同導通阻抗與崩潰電壓下,GaN元件可製成體積更小。

 GaN FET具備極低損耗與高效率的性能,擁有快速切換速度與優異的反向恢復特性。目前市面上已有600V或650V等級的GaN FET廣泛販售。

 應用於AC變壓器的優點,大致歸納為以下三項:

降低發熱

 由於GaN材料的能隙較寬,相較於矽具有更高的熱導率。此特性使得GaN元件可在較高溫下穩定運作,且冷卻更為有效,能使AC變壓器維持低溫,減少熱傷害。

提升功率密度與縮小體積

 因GaN元件的切換頻率與運作溫度較矽元件高,可縮小散熱片尺寸,無需風扇冷卻並減少磁性材料使用。越高的切換頻率也意味可讓所需的電感與電容更為小型,縮減AC變壓器內電子零件數量,使機體尺寸可更小。

降低音頻雜訊,實現無線供電

 頻率越高,在馬達驅動應用中能降低音響噪音。此外,透過更高頻率,可實現更高輸出的無線電力傳輸,提高空間靈活性與拉大發送與接收裝置間的間距。此技術目前亦正於電動車無線充電技術上進行研究。

由UNIFIVE開發的GaN搭載AC變壓器

 GaN搭載AC變壓器照片

 由UNIFIVE開發的USB PD充電器,採用了上述具備優異性的次世代半導體GaN氮化鎵,並支援PD3.0、QC4+等最新技術,相較於一般筆電用旅充器,小型化約50%。無論日常或旅遊時,都可裝入口袋隨身攜帶。

 詳細資訊請參閱USB PD AC變壓器的產品頁面,或洽詢我司業務窗口。

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