MOSFET

FET（電場效應電晶體）的一種。與雙極性電晶體是以輸入電流控制輸出電流不同，FET是以輸入電壓控制輸出電流。MOSFET的閘極電極透過薄氧化膜的絕緣層與半導體通道隔離，因此具備金屬(Metal)、氧化膜(Oxid)與半導體(Semiconductor)三層的閘極結構，故稱為MOSFET。MOSFET與接面型FET相比，更適用於大功率或高頻用途。MOSFET分為耗盡型與增強型兩種。耗盡型在閘極電壓為零時，汲極電流達到最大，隨著施加負方向電壓，汲極電流逐漸減少，最終轉為關閉狀態。相對地，增強型則在閘極電壓為零時處於關閉狀態，汲極電流為最小，而隨著施加閘極電壓，汲極電流會增加。值得注意的是，接面型FET僅有耗盡型一種。