diodo a barriera Schottky

Un diodo a barriera Schottky è un diodo a semiconduttore formato dalla giunzione tra un semiconduttore e un metallo, noto anche come diodo a portatori caldi. Il nome diodo Schottky deriva dal fisico tedesco Walter H. Schottky. Presenta una bassa caduta di tensione diretta e una velocità di commutazione estremamente elevata. I rivelatori a baffo di gatto utilizzati nelle prime applicazioni radio e nelle fasi iniziali dell'invenzione dei raddrizzatori metallici sono considerati i prototipi dei diodi Schottky. Quando viene applicata una tensione diretta sufficiente, la corrente scorre in direzione diretta. Mentre la tensione diretta standard di un diodo al silicio p-n è di 600~700 mV, quella di un diodo Schottky è di 150~450 mV. Il requisito di tensione diretta più basso del diodo Schottky consente una maggiore velocità di commutazione e un migliore rendimento del sistema.